Elaboration par épitaxie par jets moléculaires de dopage planaire silicium dans des couches de GaAs et GaAlAs : application à la réalisation de transistors à effet de champ microondes
Silicon planar doping growth by molecular beam epitaxie in gaas and gaalas layers

URL d'accès : http://ori-nuxeo.univ-lille1.fr/nuxeo/site/esupver...

Auteur(s):  Splingart, Bertrand
Date de soutenance : 1993
Éditeur(s) : Université Lille1 - Sciences et Technologies 

Langue : Français
Directeur(s) de thèse :  Druelle, Yves
Classification : Sciences de l'ingénieur
Discipline : Electronique
Mots-clés : Transistors à effet de champ
Couches minces semiconductrices
Épitaxie par faisceaux moléculaires
Semiconducteurs -- Dopage

Résumé : L'étude que nous présentons a pour objet la caractérisation du dopage planaire silicium dans les matériaux gaas et gaalas épitaxies par jets moléculaires pour la réalisation de transistors à effet de champ microondes. La réalisation du dopage planaire consiste à interrompre la croissance du matériau pendant le dépôt des éléments dopants. L'étude a permis de vérifier le confinement des impuretés silicium dans la couche. Dans ces conditions la caractérisation électrique en densité d'électrons et en mobilité a été effectuée. Des conditions de croissance ont été définies pour la réalisation de transistors à effet de champ (mesfet) et a hétérojonction (hemt). Les résultats obtenus ont montré l'intérêt du dopage planaire dans le cas de transistors à hétérojonction en prenant particulièrement en compte d'une part, les effets liés aux centres dx dans l'algaas et d'autre part, l'épaisseur de l'espaceur entre l'interface gaas/gaalas et le plan de dopage. Cette étude a montré dans certains cas la supériorité du plan de dopage par rapport au pulsé dopage dans une structure hemt. Ces résultats ont contribué à l'amélioration des conditions de réalisation des structures afin d'augmenter les performances des composants



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