Simulation microscopique et technologie de réalisation du transistor à effet de champ à base de GaAs

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Auteur(s):  Valin, Isabelle
Date de soutenance : 1993
Éditeur(s) : Université Lille1 - Sciences et Technologies 

Langue : Français
Directeur(s) de thèse :  Constant, Monique
Classification : Sciences de l'ingénieur
Discipline : Electronique
Mots-clés : Transistors à effet de champ

Résumé : 



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