Contribution à l'étude des mécanismes de dégradation de l'interface silicium-oxyde de silicium sous l'effet d'injection de porteurs en régime Fowler-Nordheim

URL d'accès : http://ori-nuxeo.univ-lille1.fr/nuxeo/site/esupver...

Auteur(s):  Mir, Abdellah
Date de soutenance : 1993
Éditeur(s) : Université Lille1 - Sciences et Technologies 

Langue : Français
Directeur(s) de thèse :  Vuillaume, Dominique
Classification : Physique
Discipline : Sciences physiques
Mots-clés : MOS (électronique)

Résumé : L'objectif de ce travail est d'apporter une contribution à l'étude des mécanismes de création des défauts dans les structures MOS (métal oxyde semiconducteur). Nous avons analysé la génération des défauts à l'interface silicium-oxyde de silicium (si-sio2) et dans les oxydes de grille (sio2) épais (>30 nm) et minces (<30 nm) par injection d'électrons en régime tunnel fowler-nordheim à différentes températures et pour différents champs à travers l'oxyde. Dans le cas d'un oxyde épais, le rôle de la diffusion d'une espèce relative à l'hydrogène, comme mécanisme précurseur de la création de défauts à l'interface si-sio2 a été clairement mis en évidence. Par contre, l'origine de la génération des charges positives dans l'oxyde est due à l'ionisation par impact. Nous avons montré que la génération de cette charge positive est indépendante de la température de contrainte. Ceci permet de différencier les deux principaux mécanismes de dégradation. Dans le cas d'un oxyde mince, la génération des deux types de défauts est indépendante de la température. Nous n'avons pas observé de corrélation entre la création de défauts à l'interface et le claquage de l'oxyde. Les phénomènes de relaxation des états d'interface après contraintes ont été étudiés.



Cité Scientifique BP 30155 59653 VILLENEUVE D'ASCQ CEDEX Tél.:+33 (0)3 20 43 44 10